英诺赛科现涨逾6% 拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地

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#英诺赛科现涨逾6% 拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地简介

英诺赛科现涨逾6% 拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地

  英诺赛科(02577)早盘一度涨超10%,高见36.75港元,创上市新高。截至发稿,股价上涨5.74%,现报35港元,成交额1379.43万港元。

  公开资料显示,英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业。公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地,是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业,也是目前全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。截至2024年6月30日,英诺赛科在全球有319项专利及430项专利申请,涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。